El Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias demostró transistores GAA de nanoláminas apiladas fabricados con litografía DUV por inmersión. El resultado valida una ruta experimental hacia tecnologías de 3 nm sin EUV, pero todavía no equivale a un proceso de fabricación comercial ni demuestra que China pueda producir chips de ese nodo a gran escala. ***